近期，部分存储产品价格出现了上涨现象。其中，某些产品涨幅高达100%，更有甚者在一个月内上涨了50%，整体涨幅十分显著。深圳一家知名存储模组厂商的销售主管张丽（化名）向第一财经记者透露，此次价格上涨主要涉及DDR4和DDR3产品。推动价格上涨的原因并非需求增加，而是由于原厂停产所致。
动态随机存取存储器简称为DRAM，它是当前最为关键的存储元件之一，其中DDR4和DDR3分别代表了第四代和第三代的双倍数据速率SDRAM技术。根据市场调研机构提供的数据，DDR4的价格近期呈现出显著的上涨趋势。
频频涨价
根据闪存市场相关数据，至5月27日的一周时间里，多款DDR4型号产品在环比的基础上，其价格均有不同程度的上升，具体来看，DDR4 16Gb 3200型号产品价格上涨了3.95%，DDR4 8Gb 3200型号产品价格上涨了15%，而DDR4 8Gb eTT型号产品价格上涨了10%。本月23日、25日、27日、28日及29日，TrendForce集邦咨询发布的市场动态报告指出，多种DDR4颗粒的现货价格呈现上升趋势；特别是29日，DDR4 8Gb 3200型号的涨幅达到了4%。
深圳市场的交易异常活跃，众多买家纷纷询价，其中DDR4内存条的价格不断攀升，预期的售价也在逐步上调，然而，这样的涨幅似乎仍难以与报价保持同步。TrendForce集邦咨询在29日的市场动态报告中如是指出。
上周在采购过程中，我向你报价是4元，你询问是否可以接受3.8元。而这周你再次询问价格，我告知现在价格已升至4.5元，你便又提出能否按照上周的4元来购买。对此，我表示抱歉，价格已经迅速上涨至4.8元。整个过程就像这样，价格不断攀升。张丽这样向记者描述道。
今年2月，传闻美光、三星以及SK海力士可能将在年底前终止DDR3和DDR4内存的生产。进入4月，又有消息指出，三星已向PC厂商发出通知，计划在今年年底前停止生产DDR4内存，并确定最后订购时间为6月。
三星对于市场传闻关于DDR4停止生产的消息并未作出回应，然而，这一情况已经在市场上引起了连锁效应。据TrendForce集邦咨询报道，有关三星以及美光公司DDR3和DDR4产品停产的消息，已经导致DRAM市场出现了抢购风潮。三星、SK海力士以及美光公司相继发布了关于其PC和服务器用DDR4及LPDDR4产品的停产通知，预计最后一批产品的发货时间将在2026年的第一季度或第二季度。TrendForce集邦咨询的分析师许家源向记者透露，在原厂宣布停产之后，众多买家纷纷抢购以补充库存，这导致了4月至5月期间颗粒现货市场的供应紧张，并且价格出现了显著上涨。
闪存市场指出，由于原厂停产部分DDR4和减产LPDDR4X的持续影响，涨价效应已经扩散到销售渠道的成品市场；同时，低价位的DDR5资源在渠道市场上变得越来越稀缺；因此，本周渠道销售的DDR5内存条价格也出现了上涨。
DDR4的价格在上升，而且另一类重要的存储芯片——NAND Flash，其中也有不少产品开始涨价。张丽向记者透露，涨幅最大的当属32Gb及以下容量的MLC NAND Flash，这类产品广泛应用于智能家居、电视、工业自动化设备以及智能穿戴设备等领域，而三星在这一领域占据了相当大的市场份额。据她了解，正是由于制造商发布了停产通告，这导致了MLC NAND Flash的市场供应量降低，因此近期价格有所上升。
近期传来消息，三星已提前终止MLC NAND Flash的生产，并宣布供应仅限于6月，同时试图通过提价策略促使客户放弃购买。面对三星的断供，市场对可能引发的供应不足问题表示忧虑，纷纷加大库存储备。对于记者的询问，三星并未对MLC NAND Flash是否真的停供作出明确回应，而是选择不对客户相关事宜作出评论。
原厂调整生产
价格上涨主要局限于个别领域，尽管行业普遍认为存储市场状况正在逐渐好转，然而，市场整体需求尚未显著提升，导致整体价格并未出现大幅度的快速上涨。
以NAND Flash为参照，TrendForce集邦咨询在29日发布的报告指出，在今年第一季度，NAND Flash供应商在面临库存压力以及终端客户需求下降的双重挑战下，其平均售价出现了15%的降幅，出货量较上季度环比下降了7%。同时，该季度前五大NAND Flash品牌厂商的总营收为120.2亿美元，与上季度相比，环比下降了24%。预计在第二季度，NAND Flash的价格将迎来底部反弹的趋势，届时品牌厂商的营收有望实现环比增长，增幅达到10%。
观察存储市场的整体规模，有从事存储供应链的人士向记者透露，他们预计今年的市场规模将比去年有所扩大，不过增长幅度预计仅在1%到2%之间。这一现象的背后，有积极的因素在起作用，比如行业去库存后价格得到了一定的支撑，以及AI技术的应用推动了大规模存储需求，尽管如此，终端市场的需求整体上尚未出现强劲的回升。
在此情形下，部分存储颗粒价格上涨的原因在于，这些产品并非市场上最新一代的高性能产品，同时，原厂正针对AI领域的新需求进行生产流程的调整与转换。
张丽指出，目前DDR技术已发展到DDR5阶段，像三星、海力士等知名厂商，正计划将生产重心转向高性能产品，比如HBM（高带宽内存，一种DRAM），而DDR3、DDR4等部分业务已无法继续带来高额的利润和毛利率。
许家源透露，部分DDR4和LPDDR4产品将停产，这主要是因为随着PC和服务器市场逐渐由DDR4过渡至DDR5，DDR4系列产品的售价和盈利空间相对较小。
据悉，三星宣布停止生产DDR4芯片后，其生产重心将转移至DDR5和HBM领域。在美光发布的2025财年第二季度财务报告中，提到了HBM销售对毛利率的积极影响。美光指出，该季度整体毛利率有所上升，这主要得益于高利润的云计算产品，尤其是HBM销量的增长。
多层单元技术并非NAND Flash领域最新研发成果。所谓多层单元，是指从MLC到TLC，再到QLC，NAND Flash的存储密度呈现出持续增长的趋势。据记者掌握的信息，自今年起，诸如长江存储、铠侠、Solidigm等众多存储设备制造商都在积极推广QLC产品，并致力于推动产品的更新换代。
在AI时代背景下，调整产品结构的趋势愈发显著。目前，在高端存储产品领域，HBM技术已成为英伟达等高性能AI芯片不可或缺的组成部分，而采用QLC技术的NAND Flash也被视为适用于运行AI应用的设备。供应链厂商向记者透露，存储厂商急于推广QLC技术，其背后原因在于AI PC、AI手机等终端设备对存储密度的需求日益增长。
原厂正逐步削减在产能和资本方面的投入，并且正将存储技术向更高级别的制程转移。CFM闪存市场的总经理邰炜在今年初曾指出，在供应方面，晶圆的总体产量相较于过去增长将显著降低；存储原厂将加大资本投入于更高级别的封装技术以及产品研发，尤其关注HBM、1c、1γ以及200层、300层等先进产能。
美光在其最新公布的财务报告中透露，公司正致力于在其现有的生产设施中提升HBM的产量，以确保能够满足2026年的市场需求。今年四月，美光对业务部门进行了调整，新设立了专门面向超大规模云计算服务提供商提供内存解决方案，并为数据中心客户供应HBM的云内存业务部门。美光指出，此次组织架构的调整，主要是鉴于高性能内存与存储在促进人工智能发展过程中的重要性日益凸显。
SK海力士正在加大在HBM领域的投资力度。在去年的第四季度，HBM产品在SK海力士的DRAM销售额中已经占据了超过40%的份额，而公司预测，今年这一比例将进一步提升，有望达到50%以上。
